霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。霍爾效應測試儀主要用于測量電子材料之重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或固體材料均可。
儀器系統構成：電磁鐵、高精度電源、高斯計、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾探頭、電纜、標準樣品、樣品安裝架、系統軟件。
* 電磁鐵磁場：間距 10mm情況下10700 高斯，間距20mm 情況下7000 高斯
*樣品電流：50nA～50mA（*小可調節電流為 0.1nA）
* 提供各類測試標準材料，各級別霍爾器件（靈敏度與精度不同）
* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等 ▲ 電阻率范圍：5*10-5～5*102Ω.cm
*霍爾系數：±1*10-2～±1*106cm3/C
半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
